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어플라이드, '2나노 이하' 공정·수율 높이는 반도체 장비 신제품 공개
조선비즈
최효정
기자
- 미국
반도체
장비
기업
어플라이드
머티어리얼즈가
인공지능(AI) 반도체 성능을 혁신적으로 끌어올릴 옹스트롬(Å·0.1nm) 단위의 초미세 공정 솔루션을 전격 공개했다. AI 시대를 맞아 급증하는 전력 소모와 공정 복잡성 문제를 해결하고, 한국의 주요 고객사들과의 협력을 통해 기술 로드맵을 가속화하겠다는 전략이다.
어플라이드가
이날
공개한
신제품은 ▲비바(Viba) ▲심3G 매그넘(Sym3G
Magnum) ▲스펙트럴(Spectral) 등 세 가지다. 이 장비들은 2나노미터(nm) 이하의 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA)
공정의
수율과
성능을
높이는
데
최적화되어
있다.
반도체
공정이
2나노
이하로
미세화되면서
기존의
핀펫(FinFET)
구조는
전류
제어
능력의
한계에
봉착했다. 이를 해결하기 위해 등장한 GAA는 게이트가 채널의 4면을 모두 감싸는 구조로, 누설 전류를 줄이고 동작 전압을 낮출 수 있어 AI 반도체의 전력 효율을 높이는 핵심 기술로 꼽힌다.
어플라이드의
이번
신기술은 GAA 공정의 완성도를 높이기 위해 ‘깎고, 다듬고, 채우는’ 기술을 고도화한 것이 특징이다. 먼저 ‘비바(Viba) 라디컬 처리 시스템’은 나노시트 채널 표면을 원자 수준으로 정밀하게 가공하여 불순물을 제거한다. 이를 통해 전자가 이동할 때 발생하는 산란(Scattering)을 줄여 트랜지스터의 성능을 직접적으로 향상시킨다. 해당 장비는 이미 주요 제조사에서 채택되어 성능이 입증되었다.
‘심 3G 매그넘(Sym3G
Magnum) 식각
시스템’은 소스와 드레인 캐비티를 형성할 때 이온의 밀도와 각도를 정밀하게 제어한다. 기존 방식보다 훨씬 수직적이고 균일한 사각형 형태의 바닥면을 구현함으로써 나노시트 간의 균일한 접근을 가능케 해 공정 수율을 대폭 높인다.
마지막으로 ‘스펙트럴(Spectral) 몰리브덴 ALD’는 반도체 배선의 핵심 소재를 기존 텅스텐에서 신소재인 ‘몰리브덴’으로 교체하는 혁신을 선보였다. 몰리브덴은 미세 공정에서도 저항을 낮게 유지할 수 있는 특성이 있어, 선택적 증착 기술을 통해 콘텍트 저항을 텅스텐 대비 15% 이상 낮췄다.
어플라이드
측은
이번
신제품
출시의
배경으로 ‘AI 전력 소모 문제’를 꼽았다. 케빈 모라스 어플라이드 마케팅 총괄 부사장은 “AI가 우리를 둘러싼 세계를 완전히 바꿔 놓고 있다”며 “2040년까지 성능과 에너지 효율 측면에서 1만배 이상의 강화가 이루어져야 하며, 어플라이드는 칩 제조 공정에서 더욱 높은 효율성을 구현하는 데 기여할 것”이라고 강조했다.
어플라이드는
기술
혁신을
넘어
국내외
주요
파트너
및
교육
기관과의
생태계
협력도
대폭
강화할
방침이다. 미국 실리콘밸리에 구축 중인 차세대 반도체 연구소 ‘에픽(EPIC) 센터’에 삼성전자가 첫 번째 펀딩 멤버로 참여한 것이 대표적인 사례다. 국내에서는 경기도 오산에 들어설 ‘코리아 컬래버레이션 센터(KCC)’가 내년 하반기 공식 오픈을 앞두고 있다.
박광선
어플라이드
코리아
대표는
“한국은
메모리와
선단
반도체
제조
역량이
집중된
최우선순위
시장”이라며 “폭발적으로 늘어나는 고객 수요에 대응하기 위해 대학 및 기업과 공고히 협력하고, 두 센터가 차질 없이 완공되도록 지원해 인프라를 지속 확충하겠다”고 밝혔다.
마이클
추지크
부사장은 “이번 신제품들은 이미 글로벌 선도 제조사들과 실증을 마쳤거나 기술 평가 최종 단계에 있다”며 “어플라이드의 25년 노하우를 바탕으로 한국 고객사들이 옹스트롬 시대 로드맵을 가속화할 수 있도록 적극 지원하겠다”고 덧붙였다.
출처: https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/02/12/GFSWMYJRGQ2DQOLGMZRDMYTBG4/
